根據外媒爆料，近期某半導體行業分析師對英特爾目前正在研發的技術進行了分析，并根據分析結果提出了一則預言。如果這位分析人士的預言成真，那么英特爾將在即將到來的下一個制程時代中大幅超前其他進爭對手。
這位分析師在他自己的網站發表一篇分析文章（參考連結），指出英特爾將會在10納米節點采用量子阱FET。這種新的電晶體架構將會采用兩種新材料──以砷化銦鎵制作n型電晶體，以應變鍺制作p型電晶體。
若預測正確，英特爾最快在2016年可開始生產10納米制程電晶體，且功耗能比其他制程技術低200毫伏（millivolts）。分析師預期，其他半導體制造業者在7納米節點之前難以追上英特爾的技術，差距約是兩年。英特爾可能還要花一年多的時間才會公布其10納米制程計畫。
英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發的InGaAs制程技術。分析文章是根據對英特爾在年度IEEE國際電子元件會議（IEDM）發表的數十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與晶片制造相關的專利。分析師在接受EETimes美國版訪問時表示：“我所看到的一切都朝這個方向發展，問題應該不在于英特爾會不會制作量子阱FET，而是他們會在10納米或7納米節點開始進行。”
在電晶體通道采用復合半導體材料并非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發表的這么多，英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少，但該技術較廣為人知。此外他預期英特爾會采用純鍺，不過也可能會透過先采用矽鍺來達到該目標。
值得注意的是，該分析師將分析報告對外公布之前，曾將其提供給英特爾查看。但英特爾卻并未因此份報告而對外發表任何聲明。
