東京—東芝公司（TOKYO：6502）今日宣布研發全球首款*1運用硅通孔（TSV）技術的16顆粒（最大）堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型。
NAND閃存
堆疊式NAND閃存的先前技術是在封裝內運用引線接合法連接在一起。而TSV技術利用垂直電極和貫穿硅芯片模的通孔實現連接。該技術支持數據高速輸入和輸出，并降低功耗。
東芝TSV技術實現超過1Gbps的I/O數據速率，高于具有低電源電壓的任何其它NAND閃存。核心電路1.8V，I/O電路1.2V，寫入操作、讀取操作和I/O數據傳輸的功耗降低約50%*2。
這款全新的NAND閃存為包括高端企業級SSD在內的閃存應用提供理想的低延遲、高帶寬和高IOPS/Watt解決方案。
這項應用技術部分由日本新能源和工業技術開發組織（NEDO）研發。
該原型的一般規格
注：
*1：截至2015年8月6日。東芝調查。
*2：與東芝當前產品相比。
