韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體(Key Foundry) 今天宣布，該公司已成功開發(fā)出面向汽車半導(dǎo)體應(yīng)用的第二代0.13微米嵌入式閃存工藝，年內(nèi)就將全面投入量產(chǎn)。

五年多來，啟方半導(dǎo)體借助第一代0.13微米嵌入式閃存技術(shù)，不斷推進(jìn)微控制器(MCU)、 觸控(Touch)和自動對焦(Auto Focus)等各種消費(fèi)類應(yīng)用產(chǎn)品的量產(chǎn)。最新開發(fā)出的第二代0.13微米嵌入式閃存工藝適用于汽車 零配件，完全符合AEC-Q100可靠性1級標(biāo)準(zhǔn)。AEC-Q100是一項(xiàng)針對汽車應(yīng)用的集成電路(IC) 可靠性測試認(rèn)證。要獲得1級認(rèn)證，該IC產(chǎn)品必須在高達(dá)125攝氏度的極端溫度下，正常運(yùn)轉(zhuǎn)10年以上，同時還要確保所有閃存的數(shù)據(jù)完好無損。憑借其深厚的專業(yè)積累，以及取得專利的側(cè)壁選擇性晶體管單元(SSTC)結(jié)構(gòu)所突顯的強(qiáng)大特性，啟方半導(dǎo)體將糾錯碼(ECC)內(nèi)存添加到嵌入式閃存IP中，成功開發(fā)出一種嵌入式閃存技術(shù)，并通過了各項(xiàng)AEC-Q100 1級測試。這種設(shè)計(jì)上的改進(jìn)提高了該技術(shù)的閃存可靠性，成為汽車 電子應(yīng)用的理想之選。

啟方半導(dǎo)體的一家韓國客戶率先將這項(xiàng)新工藝應(yīng)用到交通收費(fèi)應(yīng)答器的MCU產(chǎn)品上。啟方半導(dǎo)體自行設(shè)計(jì)的128Kbyte eFlash IP已嵌入這款通過產(chǎn)品級別測試的產(chǎn)品，今年啟動全面量產(chǎn)。這是第一款采用啟方半導(dǎo)體嵌入式閃存工藝的汽車應(yīng)用產(chǎn)品。據(jù)該公司預(yù)計(jì)，該產(chǎn)品的成功開發(fā)將有助于把這項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到觸控IC、無線充電IC和其他各種汽車產(chǎn)品。

與第一代工藝相比，第二代技術(shù)在可靠性和成本競爭力上均有明顯提升，預(yù)計(jì)將廣泛應(yīng)用于包括MCU、觸控和自動對焦在內(nèi)的各種消費(fèi)類應(yīng)用。此外，在與BCD工藝（雙極型-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體工藝）相集成后，為各類電源產(chǎn)品帶來了合適的解決方案，例如USB Type-C PD（USB C型電源通信協(xié)議）、電機(jī)驅(qū)動IC或無線充電IC等。第二代技術(shù)的應(yīng)用場景有望進(jìn)一步擴(kuò)大到具有超低漏電工藝選項(xiàng)的低功耗物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

繼0.13微米的第一代和第二代技術(shù)之后，啟方半導(dǎo)體目前正在開發(fā)0.11微米嵌入式閃存工藝。為了滿足客戶日益追求更高存儲密度的需求，該公司打算大幅縮小閃存單元的尺寸，打造出存儲密度高達(dá)4Mbits的閃存IP。

啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官李泰鐘博士(Tae Jong Lee)表示：“首款使用第二代0.13微米嵌入式閃存技術(shù)的產(chǎn)品已經(jīng)開發(fā)完成，即將投入量產(chǎn)。我們將充分利用我們積累的技術(shù)優(yōu)勢來提供高度可靠且具有成本競爭力的代工服務(wù)，并繼續(xù)提高汽車半導(dǎo)體在我們產(chǎn)品組合中的比例?！?