SanDisk于日前表示，正與東芝(Toshiba)合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導體制造工廠(Fab 5)第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術的研發，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節點面臨微縮瓶頸，預做準備。

SanDisk亞太區副總裁吳家榮表示，隨著智能手機、平板裝置及超輕薄筆電(Ultrabook)配備NAND Flash和固態硬盤(SSD)比重不斷攀升，NAND Flash記憶體市場將持續供不應求，因而吸引各NAND Flash供應商紛紛投入擴產，以紓解供貨緊縮的問題。

吳家榮進一步指出，該公司與東芝合資的五號半導體制造工廠，即將啟動第二期擴產計劃，將持續采用最先進的19奈米制程技術，預定于2014年下半年正式投產;此外，SanDisk亦將藉由該工廠進行3D NAND技術的研發。

據了解，五號半導體制造工廠第二期擴產工程，一方面將導入19奈米制程投產2D NAND Flash存儲器;另一方面則采用BiCS(Bit Cost Scalable)技術試量產3D NAND存儲器，該技術標榜具備高性能、低成本且架構可擴充性的優勢，已于先前由東芝率先發表，而SanDisk已規劃采用該項技術，生產3D NAND閃存產品，并預計于2016年投產首款3D NAND存儲器。

針對SanDisk是否會選用3D NAND記憶體技術發展10奈米以下的制程，吳家榮說明，該公司目前無法對外說明3D NAND存儲器技術的制程規劃藍圖，但可預見的是，相較于過去每一代NAND Flash制程節點差距動輒10奈米以上，進入19奈米以后，制程微縮的節點間隔將明顯縮小。

顯而易見，2D NAND存儲器技術即將面臨發展瓶頸，而3D NAND存儲器將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑，也因此，除東芝和SanDisk之外，三星(Samsung)、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND存儲器技術布局。其中，三星預定于2014年量產3D NAND存儲器。