中國，2015年8月4日——意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的BiCMOS55 SiGe先進技術被歐洲E3NETWORK項目組采用，用于開發適合下一代移動網絡的高效率、高容量數據傳輸系統。
ST先進技術被E3NETWORK項目組采用
移動數據使用量的迅猛增長，要求網絡系統支持更大的容量和更高的數據傳輸速率。而如何加快移動網絡向先進網絡架構轉型的速度，對移動回程線路（backhaul）基礎設施是一個新的挑戰，例如異構網絡（Heterogeneous Network）與云端無線接入網絡（RAN，Radio Access Network），其中更高頻段（例如E-band）可提供更大帶寬，以支持更快的數據傳輸通道。
建設這些超高效率的移動網絡，設備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規模集成電路電子元器件。E3NETWORK項目利用意法半導體的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工藝，開發出55納米的Ft高達320GHz的異質雙極晶體管（HBT，Heterojunction Bipolar Transistors）。這項制造工藝準許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能、高容量的數字模塊，例如邏輯電路、AD/DA轉換器和存儲器。
E3NETWORK項目采用意法半導體的BiCMOS55制造，目前正在研發一個集成化的E-band收發器，用于去程線路（Fronthaul）和回程線路基礎設施，以實現數字多層調制，及高度聚焦的筆形波束（Pencil-beam）傳輸，數據速率可高達10Gbps。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率，同時在毫米波（millimeter-wave）間隔期間保護頻譜利用率（Spectrum efficiency）不受影響。
作為歐盟第7框架計劃中的一個項目，E3NETWORK（Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks）匯集了眾多企業，其中包括CEIT（西班牙）、Fraunhofer（德國）、阿爾卡特朗訊（意大利）、CEA（法國）、INXYS（西班牙）、OTE（希臘）、SiR（德國）、Sivers IMA（瑞典）和意法半導體（意大利）。
ST的BiCMOS技術將兩種不同制造工藝的優勢整合在一顆芯片上，雙極晶體管提供高傳輸速率及高增益，這對于高頻模擬電路至關重要，而CMOS元器件在構建簡單、低功耗邏輯門方面的應用表現也非常出色。
通過在一顆芯片上集成射頻、模擬及數字電路，意法半導體BiCMOS55 SiGe器件不僅大幅降低了外圍設備的數量，亦能夠同時進行功耗優化。
