ROHM半導(dǎo)體（上海）有限公司3月22日上海訊 2016年3月15日-18日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展（electronica China2016）”。在本次展會(huì)上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類(lèi)繁多的汽車(chē)電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類(lèi)眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強(qiáng)勢(shì)多元化的產(chǎn)品、多種熱門(mén)應(yīng)用解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流。
ROHM展臺(tái)人頭攢動(dòng)
觀眾現(xiàn)場(chǎng)咨詢(xún)
ROHM功率元器件讓“工業(yè)設(shè)備”更節(jié)能
在“能源問(wèn)題”日益受到重視的今天，“節(jié)能”已然成為業(yè)界一大主題。如何提高功率轉(zhuǎn)換的效率，盡可能減少功率損耗是一大課題，而SiC（碳化硅）功率元器件則是可顯著減少功率轉(zhuǎn)換時(shí)損耗的關(guān)鍵器件。一直以來(lái)都在SiC功率器件領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位的ROHM在本次展會(huì)上展示的“全SiC”功率模塊是一款具有高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、高速 恢復(fù)、消除寄生二極管通電導(dǎo)致的元件劣化問(wèn)題等特點(diǎn)的產(chǎn)品。與一般的同規(guī)格IGBT模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了77%，可高頻驅(qū)動(dòng)，因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統(tǒng)等的小型化。其可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能發(fā)電、轉(zhuǎn)換器等多元化領(lǐng)域。
