電腦運(yùn)行遲緩、手機(jī)打開應(yīng)用卡頓，相信這兩種情況都是大家在日常生活中經(jīng)常遇到的。系統(tǒng)反應(yīng)遲緩的原因非常多，其中占比最多的就是內(nèi)存消耗過大造成的卡頓。不過這個(gè)讓人生厭的問題在未來或許能夠被順利解決，近日IBM宣布在內(nèi)存處理技術(shù)上獲得了重大突破，這項(xiàng)突破將幫助電子設(shè)備提高運(yùn)行速度。
根據(jù)報(bào)道，IBM當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二宣布了其在“相變化內(nèi)存”技術(shù)上取得的重大進(jìn)步，而這一技術(shù)進(jìn)步則將幫助人們突破現(xiàn)有電子設(shè)備運(yùn)行速度的瓶頸。
事實(shí)上，“相變化內(nèi)存”多年來一直處于研發(fā)階段，但I(xiàn)BM認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)的成本已降至了可被消費(fèi)者電子設(shè)備接受的范圍內(nèi)。同時(shí)，這一技術(shù)對于諸如Facebook這些需要迅速訪問大量信息的企業(yè)也會帶來巨大幫助。
據(jù)悉，IBM研究員哈里斯-珀奇迪斯在當(dāng)時(shí)間周二的巴黎存儲技術(shù)大會上首次公布了公司取得的這一成績，而他則相信“相變化內(nèi)存”會在2017年正式投入商用。
簡單來說，“相變化內(nèi)存”需要對芯片內(nèi)特殊微型玻璃材料進(jìn)行電加熱，而這些材料中每個(gè)單元的降溫方式則決定了芯片中所保存的數(shù)據(jù)大小。比如，在逐步降溫的過程中，材料原子將會呈晶格式排列。而在迅速降溫時(shí)，材料原子的排列將雜亂無章。不過，IBM已經(jīng)對這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)以確保其能夠存儲更多的數(shù)據(jù)位。而早在2011年，IBM就成功實(shí)現(xiàn)了在單個(gè)單位中保存兩位數(shù)據(jù)。
在本周巴黎存儲技術(shù)大會上，珀奇迪斯宣布“相變化內(nèi)存”單位已可以保存三位數(shù)據(jù)。而在一塊芯片中保存更多的數(shù)據(jù)就意味著這一技術(shù)成本的下降，因此其相較于傳統(tǒng)存儲技術(shù)也更具競爭優(yōu)勢。
大多數(shù)人都將計(jì)算機(jī)、電子設(shè)備在近年來取得的逐步進(jìn)步認(rèn)作是理所應(yīng)當(dāng)?shù)氖虑椤５聦?shí)上，無論是筆記本變得更薄還是網(wǎng)絡(luò)速度變得更快的背后都凝聚了無數(shù)人的辛勤勞動和付出。而且，將一項(xiàng)新技術(shù)正式投入商用也不是一件簡單的事情。
目前，人們使用的手機(jī)和PC設(shè)備通常會同時(shí)使用兩種技術(shù)保存數(shù)據(jù)，它們分別是能耗較大的DRAM動態(tài)存儲和存取速度較慢、成本較低、即便在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)的閃存。不過，“相變化內(nèi)存”結(jié)合了DRAM和閃存的優(yōu)點(diǎn)。具體來說就是，DRAM動態(tài)存儲的存取速度是“相變化內(nèi)存”的5到10倍，但后者的存取速度卻是閃存的70倍左右。因此，使用“相變化內(nèi)存”技術(shù)的手機(jī)應(yīng)用加載速度將比閃存更快。
按照目前的發(fā)展趨勢，IBM認(rèn)為在未來的某一天相變化內(nèi)存技術(shù)的成本終將低于目前傳統(tǒng)的DRAM。如果順利的話，其成本甚至有可能降低到與閃存相當(dāng)，不過這一過程將有可能較為緩慢且充滿艱辛。另一方面，目前很多廠商已經(jīng)在閃存的改進(jìn)方面取得了較為明顯的成績。蘋果公司的新一代平板電腦就是最好的例子。
